HfO 2 因其独特的铁电性能和兼容性，已成为抗辐照大规模存储器的新型材料。然而，HfO 2 铁电相容易受到氧空位与电荷的影响，使其在高辐照环境下面临着铁电特性分散化的潜在威胁，因此，研究辐照位移损伤及其影响对HfO 2 基铁电存储的大规模制造与应用意义 ...

HfO2 材料，是集成电路互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺中常用的一种 high-k 材料，制备工艺较为成熟。 因此，当学界在 HfO2 基材料中发现铁电特性之后，氧化铪基铁电存储器被认为是最有潜力的下一代非易失性存储器。 但是 ...

因应人工智能、物联网、5G、车载等新兴科技所迎来的巨量资讯分析需求，近年来各国政府及国际知名大厂皆积极地投注大量资源，加速开发兼具提升运算速度以及降低耗能的下世代存储器。而新兴存储器技术选项中，当属铁电存储器最被看好，其原理、技术 ...