InGaN太阳能电池通过带隙工程优化至1.34 eV，结合SCAPS-1D模拟研究吸收层与窗口层厚度对光电转换效率的影响，理论最高效率达22.40%。 氮化铟镓（InGaN）因其可调的带隙（0.7–3.4 eV）、高吸收系数（>10^5 cm^-1）和固有的抗辐射能力而成为下一代光伏技术的领先候选 ...