P沟道MOS管（P-MOSFET）的工作原理基于电场感应空穴导电，通过栅极负电压在N型衬底表面形成P型反型层，构建导电沟道，实现漏源极间的电流控制。其与N沟道MOS管呈镜像对称，是高端开关和反极性保护的核心元件。 由于空穴迁移率低，P-MOS的开关速度比N-MOS慢30% ...