氧化镓（Ga2O3）凭借~4.9 eV高的禁带宽度和8 MV/cm大的临界击穿场强，在新型光电器件和高功率电子领域中展现出巨大应用潜力。其中亚稳态κ-Ga2O3具有非中心对称的极性晶体结构（空间群Pna21），理论预测其自发极化强度为23-79 ...