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法国、美国和意大利的研究人员声称，首次在硅衬底上选区生长材料制备的准垂直氮化镓二极管中观测到了雪崩击穿行为 [Mohammed El Amrani 等人，《应用物理杂志》，第138卷，p215701，2025年]。雪崩击穿的优点在于它是非破坏性的。该二极管在室温下的击穿电压为720V。