本研究针对传统SnO2薄膜沉积工艺存在的低生长速率、高杂质含量及高温结晶难题，采用Sn(dmamp)2和H2O2的原子层沉积(ALD)技术，实现了高纯度、低电阻率SnO2薄膜的低温制备（200℃），生长速率达0.11-0.15 nm/cycle，并成功将其作为模板诱导金红石TiO2生长，使MIM电容器介 ...

二氧化锡为白色、淡黄色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末。熔点1630℃，沸点1800℃。同时是一种透明导电材料。它是较早投入商用的透明导电材料，为了提高其导电性和稳定性. 2.二氧化锡（SnO2）电极广泛应用于光学玻璃的熔炼以及电解铝行业，二氧化锡电级 ...