[导读]在电力电子系统中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心开关器件，其可靠性直接影响系统寿命。据统计，功率器件失效案例中，MOSFET占比超过40%，主要失效模式包括雪崩击穿、热失控、栅极氧化层击穿等。本文从物理机制出发，系统分析 ...

MOSFET的英文全称为“Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor”，中文名称为“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”。它是现代电子学中极为重要的一种半导体器件，被广泛应用于各类电子产品中，从日常使用的手机、电脑，到工业生产里的自动化设备，都能看到。

了解SiC MOSFET等半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键。 了解半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中日益严格的十亿分之一的 ...

[导读]在这篇文章中，小编将对功率MOSFET的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下 ...

MOSFET的技术迭代历程总体可以总结为技术革新、工艺进步、材料升级三大部分，MOSFET在设计上经历了平面型、沟槽型、超级结等多个技术革新阶段，每一次技术上的迭代伴随着MOSFET生产工艺的革新以及元器件结构的变化，近年来SiC、GaN等材料的应用，使得宽禁带 ...

MOSFET即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)，归属于功率分立器件，是场效应晶体管(Field Effect Transistor-FET)中的重要分类，属于电压控制型半导体器件，具有工作频率高、功耗低、输入阻抗高、导 ...

当栅-源之间不加电压时即V GS =0时，源漏之间是两只背向的PN结。不管V DS 极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电 ...

SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区 ...

随着集成电路制造技术的进步，人们已经能制造出电路结构相当复杂、集成度很高、功能各异的集成电路。但是这些高集成度，多功能的集成块仅是通过数目有限的引脚完成和外部电路的连接，这就给判定集成电路的好坏带来不少困难。 模拟集成电路的测试技术 ...

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET ...