近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案提供商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。 关于1200V 35mΩ SiC MOSFET产品 瞻芯电子 ...

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节 ...

H桥电路驱动芯片的工作原理‌是通过控制四个晶体管的导通与截止来实现电机的正转、反转和停止。H桥电路由四个晶体管（通常为MOSFET）组成，形成“H”型结构。当Q1和Q4导通，Q2和Q3截止时，电机正向旋转；当Q2和Q3导通，Q1和Q4截止时，电机反向旋转；当四个 ...

中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于 ...

新推出的STM32MP21 MPU搭载强大的处理引擎和稳健的安全架构专为STM32MP2系列设计的新型高性价比STPMIC2L电源管理配套芯片STM32开发生态系 ... 详析17μA低功耗+7档精准阈值国产微处理器监控电路：芯佰微 CBM810X系列 一、引言在当前的半导体行业中，微处理器系统已经 ...

奈梅亨，2024年9月11日：Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封装的单和双小信号MOSFET器件，分别采用DFN1110D-3和DFN1412-6封装，且符合汽车可靠性标准。特别是DFN1110D-3封装得到了越来越广泛的应用，在用于汽车应用的晶体管和MOSFET的行业中成为“基准”封装。 DFN1110D-3和 ...

现在功率MOS管广泛地应用在各种开关电源中及其他电子电路中。MOS最常用的几种功能是，电子开关电路，放大电路、稳压恒流电路、还可以当作可变电阻，做成电子负载，代替实际电阻。往往这些电路在使用中避免不了发生损坏。在维修工作中发现，主要有两个 ...

[导读]【2020年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。 【2020年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新 ...

[导读]Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 (5mm x 4.5mm)。这种配置可减少元件数量以及节省电路板 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 ...

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装的MOSFET。该器件的结点至环境热阻 (Rthj-a) 为130℃/W，能于持续状态下支持高达1W的功率耗散。 Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装的MOSFET。该器件的结点至环境热阻 (Rthj-a) 为130℃/W，能于持续状态下支持高达1W的功率 ...