本文介绍了一种基于强化学习（RL）的创新方法，用于优化碳化硅（SiC）功率MOSFET保护环（GR）设计的多个参数。研究人员针对传统技术计算机辅助设计（TCAD）仿真耗时长的瓶颈，开发了PPO和A2C两种RL代理，成功实现了从1.7kV设计数据预测2.5kV GR设计参数，在保持 ...

本研究评估4H-SiC VDMOSFET总剂量效应下阈值电压、漏电流等参数变化，发现+10V偏压下阈值电压显著负移，高温退火恢复效果更优，TCAD模拟解析退化机制，为航天应用可靠性提升提供依据。 摘要： 本研究评估了总电离剂量（TID）对4H-SiC VDMOSFET的影响，重点关注在-4V ...

[导读]初创公司mqSemi提出了一种适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元概念。S-MOS 概念已通过使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件的 3D-TCAD 模拟在 1200V SiC MOSFET 结构上进行了调整和实施。提供了全套静态和动态结果，用于比较 S-MOS 与采用平面和沟槽 MOS ...

[导读]绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件 ...